| 產(chǎn)品類別 |
型號(hào) |
產(chǎn)品描述 |
資料下載 |
| 其他化合物半導(dǎo)體 |
InAs |
可用于制作波長(zhǎng)2——12μm的紅外發(fā)光器件及中紅外量子級(jí)聯(lián)激光器。這些紅外器件在氣體檢測(cè)、低損耗光纖通信領(lǐng)域有良好的應(yīng)用前景。 |
 |
| 其他化合物半導(dǎo)體 |
InP |
具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導(dǎo)熱好的優(yōu)點(diǎn)。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。 |
|
| 無(wú)內(nèi)容 |
